Si共鳴トンネリングMOSトランジスタの特性計算 : 相互コンダクタンスとサブスレッショルド係数
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概要
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Si共鳴トンネリングM0Sトランジスタ(Si resonant tunneling MOST: SIRTMOST)の相互コンダクタンス(gm)とサブスレッショルド係数(subthreshold swing: S)をチャネル長をパラメータとして計算する. ソースドレーン端に非対称SiO_2膜の形成を仮定して求めた, gm, S値に関し, 従来型MOSTとの対比を行う
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-03-25
著者
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
三好 正毅
山口大学工学部電気電子工学科
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
-
山内 純也
山口大学工学部電気電子工学科
-
三浦 隆司
山口大学工学部電気電子工学科
-
松尾 直人
兵庫県大
-
山内 純也
山口大
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