エキシマ・レーザ・アニールにより形成した低温プロセス多結晶Si成長モデル : 転位論に基ずく検討
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概要
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ELAにより形成されたpoIy-Si膜の特性を調べた。結晶性はレーザエネルギ密度、ショット数の増加と共に向上する。ある臨界のレーザエネルギ密度、ショット数で2次元結晶粒成長を生じる。又、a-Si膜中に含まれる水素原子の濃度により再結晶化が促進される事も解った。Poly-Si膜の再結晶化の機構を議論した。実験結果を反映し、成長プロセスを核形成、繊維状結晶粒成長、2次元結晶粒成長の三段階にわけた。過冷却液体からの核形成の理論では今回の実験結果を説明できないことから、転位運動に基ずく成長機構を検討した。特に、臨界条件において2次元結晶粒成長を急激に生じるという現象に関しても理解できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-04-23
著者
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
綾 洋一郎
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
三好 正毅
山口大学工学部電気電子工学科
-
ファクルル アンワル
山口大学工学部
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
アンワル ファクルル
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
納田 朋幸
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機
-
AZIZ Fakhrul
山口大学工学部
-
Anwar F
山口大学工学部
-
河本 直哉
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県大
-
綾 洋一郎
三洋電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
Anwar Fakhrul
山口大学工学部電気電子工学科
-
納田 朋幸
三洋電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
浜田 弘喜
三洋電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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