チャネル両端に極薄誘電体膜を持つ新たなTFTの提案と理論検討
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概要
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薄膜トランジスタ(thin film transistor,TFT)において、ゲートオフ時のソース・ドレイン間に流れる電流を減少させることは重要である。本研究では、チャネル両端に極薄誘電体膜を持つ新たなTFT,トンネリング誘電体TFT(tunneling dielectric TFT, TDTFT)を提案し、シミュレーションによってその動作特性を検討した。TDTFTにおけるゲートオフ時のドレイン電流、ドレイン電流・ドレイン電圧特性及び相互コンダクタンスについて計算を行った。また、Si層膜厚を薄くしてもTFTの駆動力を向上させるダブルSOI(silicon on insulator)構造についても検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-13
著者
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
松尾 直人
山口大 工
-
山本 暁徳
山口大学工学部
-
木原 洋幸
山口大学工学部電気電子工学科サブナノデバイス集積化物理研究室
-
中村 健二
山口大学工学部電気電子工学科 サブナノデバイス集積化物理研究室
-
松尾 直人
山口大
-
山本 暁徳
山口大学工学部電気電子工学科
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