極薄誘電体膜の低電圧領域における直接トンネル電流の理論検討
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概要
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極薄誘電体膜の直接トンネリング(DT:direct tunneling)に関し、SimmonsがMIM(metal-insulator-metal)構造に対し、透過率のWKB近似、自由電子ガスモデルより求めた関数を基に、小さいフェルミエネルギーをもつ電極材料について、DT電流の理論検討を行う。更に、求められた理論式を極薄酸化・窒化・酸化(oxide-nitride-oxide:ONO)複合膜、極薄熱酸化膜の実測漏れ電流・印加電圧特性の低電圧領域にフィティングさせ、その妥当性を検討する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-12-12
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