ELA法によるポリシリコンの結晶成長について : 核形成と水素の関係
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概要
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SiN/SiO_2/ガラス構造の基板(以下、SiN基板)上にPECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)法により堆積させた非晶質シリコン(amorphous silicon, a-Si)をエキシマ・レーザ・アニーリング(excimer laser annealing, ELA)法により再結晶化した多結晶シリコン(polycrystalline silicon, poly-Si)について調べた。石英基板に減圧化学気相蒸着(low-pressure chemical vapor deposition, LPCVD)法により堆積されたa-SiをELAすることにより得られたpoly-Siと比較すると、SiN基板上のpoly-Siは、ラマン強度は大きく、結晶内に働く内部応力は小さい。SiN基板上のpoly-Si粒の平均粒径は70nmであり、石英基板上のpoly-Siにおいて観測されるディスク状結晶粒は観測されなかった。また、表面粗さもSiN基板上のpoly-Si表面の方が石英基板上のpoly-Si表面より大きい。これらの実験結果はSiN基板並びに石英基板上に形成されたpoly-Siの結晶成長機構の相違によるものであると考えられ、この機構に関して膜中の水素、及び、その起源という観点から検討する。
- 2001-12-13
著者
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
阿部 寿
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
河本 直哉
山口大学工学部電気電子工学科
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
河本 直哉
山口大学大学院理工学研究科
-
阿部 寿
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
田口 亮平
山口大学工学部
-
納田 朋幸
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
-
河本 直哉
山口大 工
-
松尾 直人
山口大
-
河本 直哉
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県大
-
田口 亮平
山口大学工学部電気電子工学科
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