高性能多結晶Si薄膜トランジスタの作製と高精細LCDライトバルブの特性改善

概要

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固相成長(SPC)により作製したpoly-crystalline silicon(poly-Si) 薄膜にエキシマレーザアニール(ELA), 及び熱処理(PHT)を施すことにより, 低結晶欠陥密度の薄膜が得られた.本薄膜を活性層に用いたn-ch poly-Si TFTを作製し, 電界効果移動度(μ_<FE>)=325cm^2/V・s, しきい値電圧(V_<TH>)=0.15V, サブスレッショルドスイング(S値)=0.08V/dec.を達成した.このTFTを用いてハイビジョン対応のドライバ一体型液晶ライトバルブを試作した結果, ゴーストのない, 高コントラスト比(=900:1)の映像が得られた.画素電極の表面をCF_4プラズマ処理したライトバルブは, 処理をしない素子に比べてコントラスト比の信頼性を10倍以上向上させることができた.更に, ピーク波長:440nm, 照射強度:140×10^3lxの条件下において, コントラスト比が初期値に比べて半減する寿命推定時間は50, 000時間以上に達することが明らかとなった.
社団法人電子情報通信学会の論文
2001-02-01