SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるPoly-Si薄膜の結晶性 (低温ポリSi TFTと有機EL技術)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 電子情報通信学会の論文
• 2001-04-19

著者

• 阿部 寿

  三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所

• 河本 直哉

  山口大学工学部

• 田口 亮平

  山口大学工学部電気電子工学科

関連論文

• エキシマレーザアニーリングにより形成された多結晶シリコンの成長様式 : グレーン形状と水素の関係についての検討(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
• ELA法によるポリシリコンの結晶成長について : 核形成と水素の関係
• 多結晶Si薄膜トランジスタの高性能化と高精細LCDライトバルブへの応用
• ELAポリシリコン薄膜の大粒径化 : 結晶成長と水素の関係(シリコン関連材料の作製と評価)
• ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
• ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
• 水素変調ドープa-Si膜のエキシマレーザアニーリング
• a-Si中の水素原子とエキシマ・レーザ結晶化 : 核形成・成長に大きな影響を与えるか?(シリコン関連材料の作製と評価)
• ダブルSOI上に形成したトンネル誘電体TFTのAM-OLED駆動回路への応用(半導体材料・デバイス)
• 低温ELAプロセスにおいてa-Si膜中水素が結晶化に与える影響(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• 新構造TFTのAM-OLEDへの応用(シリコン関連材料の作製と評価)
• 固体YAG2 ωグリーンレーザーによる再結晶化シリコン薄膜の解析(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
• チャネル形成領域両端に極薄誘電体膜をもつ新たなTFTの提案と理論検討(半導体材料・デバイス)
• 反応性DC-スパッタリング法により作製されたHfO_2薄膜の界面特性の評価 : 界面シリケート層の形成とHfO_2薄膜中トラップの関係の考察
• ELA により形成された poly-Si 結晶成長様式 : グレイン形状と水素の関係
• エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長--水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
• 多パルス照射エキシマレーザアニーリングにより形成したシリコン薄膜
• エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
• エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
• SPC、ELA連続処理により形成された多結晶シリコンの結晶成長(半導体Si及び関連材料・評価)
• エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
• ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
• エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
• エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
• エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
• エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
• エキシマレーザアニーリング時におけるディスク形状多結晶Si粒の形成(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
• エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
• エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
• ELA法によりSiO_2/SiN/glass基板上に形成されたpoly-Si薄膜の結晶成長と水素の関係
• 低温ELAプロセスにおいてa-Si膜中水素が結晶化に与える影響(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• 低温ELAプロセスにおいてa-Si膜中水素が結晶化に与える影響(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• エキシマレーザ・アニールpoly-Si膜のディスク状結晶粒成長における水素の効果(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• エキシマレーザ・アニールpoly-Si膜のディスク状結晶粒成長における水素の効果(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 固体YAG2 ωグリーンレーザーによる再結晶化シリコン薄膜の解析(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• フレキシブル・ディスプレイ実現に向けた多結晶シリコン薄膜低温大粒径化
• Siウエファ表面への有機炭素吸着と自然酸化膜形成
• エキシマ・レーザ・アニールにより形成した低温プロセス多結晶Si成長モデル : 転位論に基ずく検討
• ELA法によりSiO_2/SiN/glass基板上に形成されたpoly-si薄膜の結晶成長と水素の関係
• ELA法により,SiO_2 / SiN / glass基板上に形成されたpoly-Si薄膜の結晶成長と水素の関係
• a-Siのエキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化poly-Siの検討 : 薄膜中に含有された水素を考慮して
• a-Siのエキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化poly-Siの検討 : 薄膜中に含有された水素を考慮して
• SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるpoly-Si薄膜の結晶性
• SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるpoly-Si薄膜の結晶性
• エキシマ・レーザ・アニール法により形成されたpoly-Si 薄膜結晶成長の遷移領域に関する検討
• エキシマ・レーザ・アニール法により形成されたpoly-Si薄膜結晶成長の遷移領域に関する検討
• エキシマ・レーザー・アニーリングにより形成された低温プロセスPoly-Si膜の結晶成長 : Poly-Siグレインのエネルギー密度、ショット数への依存性
• エキシマ・レーザー・アニーリングにより形成された低温プロセスPoly-Si膜の結晶成長-Poly-Siグレインのエネルギー密度、ショット数への依存性-
• ELA法により形成されたpoly-Si薄膜のグレインの変化
• ELA法により形成されたpoly-Si薄膜のグレインの変化
• Si表面への有機炭素原子吸着とネーティブオキサイド成長の関係
• 多結晶Si薄膜トランジスタの高性能化と高精細LCDライトバルブへの応用
• エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
• 高性能多結晶Si薄膜トランジスタの作製と高精細LCDライトバルブの特性改善
• SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるPoly-Si薄膜の結晶性 (低温ポリSi TFTと有機EL技術)
• 固相成長とエキシマレーザアニール法で形成したPoly-Si薄膜の特性評価

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク