エキシマ・レーザ・アニール法により形成されたpoly-Si薄膜結晶成長の遷移領域に関する検討
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概要
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エキシマ・レーザの低エネルギー密度領域で生じる固相成長と高エネルギー密度領域で生じる過冷却液体からの核形成・成長の遷移領域に関して調査をおこなった。250〜400mJ/cm^2のエネルギー密度領域において、poly-Siのディスク状結晶粒に着目して優先結晶方位、結晶性、および、表面形状を測定した。その結果をもとに結晶成長機構を議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-12-14
著者
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
阿部 寿
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
阿部 寿
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
田口 亮平
山口大学工学部
-
納田 朋幸
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
-
松尾 直人
山口大
-
河本 直哉
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県大
-
田口 亮平
山口大学工学部電気電子工学科
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