p型、n型si(100)上の極薄SiO_2膜のDT電流のWKB近似による検討
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概要
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n型、及びp型Si(100)基板上に形成された極薄SiO_2膜における直接トンネル電流の解析を行った。具体的には、WKB近似に基づいてSiO_2膜界面における量子準泣、トンネリング有効膜厚、室温における電子分布及び重子濃度を考慮し計算を行なった。その計算結果は、室温における電子分布を考慮しない場合と比べて実測値をより厳密に再現できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-31
著者
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