エキシマレーザアニーリングにより形成された多結晶シリコンの成長様式 : グレーン形状と水素の関係についての検討(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
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概要
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SiN/SiO_2/ガラス構造の基板(以下,SiN基板)上にPECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)法により堆積させた非晶質シリコン(amorphous silicon, a-Si)を,エキシマレーザアニーリング(excimer laser annealing, ELA)法により再結晶化した多結晶シリコン(polycrystalline silicon, poly-Si)について調べた.石英基板に減圧化学気相蒸着(low-pressure chemical vapor deposition, LPCVD)法により堆積されたa-SiをELAすることにより得られたpoly-Siと比較すると,SiN基板上のpoly-Siは,ラマン強度は大きく,結晶内に働く内部応力は小さい.SiN基板上のpoly-Si粒の平均粒径は70nmであり,石英基板上のpoly-Siにおいて観測されるディスク状結晶粒は観測されなかった.また,表面粗さもSiN基板上のpoly-Si表面の方が石英基板上のpoly-Si表面より大きい.これらの実験結果はSiN基板並びに石英基板上に形成されたpoly-Siの結晶成長機構の相違によるものであると考えられ,この機構に関して膜中の水素,及び,その起源という観点から検討する.
- 2002-07-25
著者
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
河本 直哉
山口大学工学部電気電子工学科
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
河本 直哉
山口大学大学院理工学研究科
-
阿部 寿
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
宮井 良雄
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
河本 直哉
山口大 工
-
松尾 直人
山口大
-
河本 直哉
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県大
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社 先進太陽光発電開発センター
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