WKB近似法による極薄SiO_2膜のトンネル電子の有効質量に関する解析
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概要
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WKB近似法をもとにして新たに導出したDT電流関数と従来のWKB近似法において, トンネル電子の有効質量にどの程度の差を生じるか調べた.また, この新DT電流関数にSiO_2膜の伝導帯, 荷電子帯を考慮した2バンドモデルを適用して, p-Si(100)に形成された極薄SiO_2膜のDT電流測定結果にフィッティングすることにより, トンネル電子の有効質量を計算した.トンネル電子の有効質量は, m^*_ox=(0.42±0.03)m_oとなり, この値は, Al/SiO_2/n-Si系で求められた値, m^*_ox=(0.41±0.01)m_oに非常に近い値を示す.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-25
著者
-
三好 正毅
山口大学工学部電気電子工学科
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
松尾 直人
山口大
-
山内 純也
山口大学工学部電気電子工学科
-
北川 康範
山口大学工学部電気電子工学科
-
松尾 直人
兵庫県大
-
北川 康範
山口大
-
山内 純也
山口大
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