反応性DC-スパッタリング法により作製されたHfO_2薄膜の界面特性の評価 : 界面シリケート層の形成とHfO_2薄膜中トラップの関係の考察
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概要
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本研究の目的は、反応性DC-スパッタリング法によりp-Si(100)基板上に作製された3,5,10nm膜厚のHfO_2薄膜の界面特性の評価をXPS、RBS、STSおよびESRを用いて行うことである。XPS、RBSの結果より、シリケート層の生成を示唆する結果が得られた。ESRの結果から、HfO_2膜中欠陥に対応するシグナルは観測されなかったが、Si基板との界面欠陥に対応すると考えられる磁場配向依存性を有するシグナルが観測された。STSの結果から、若干バラツクのであるが(dI/dV)/(I/V)がp-Si基板のDOSに一致すると思われる結果が得られた。HfO_2膜中欠陥が明瞭に観察されなかった理由も議論される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-13
著者
-
丹羽 正昭
半導体理工学研究センター
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
松尾 直人
山口大 工
-
野崎 洋
山口大学大学院理工学研究科
-
林 重徳
松下電器産業(株)半導体社プロセス開発センター
-
山尾 正之
山口大学大学院理工学研究科
-
河本 直哉
山口大学大学院理工学研究科
-
松尾 直人
山口大学大学院理工学研究科
-
丹羽 正昭
山口大学大学院理工学研究科
-
河本 直哉
山口大 工
-
林 重徳
松下電子工業株式会社プロセス開発センター
-
河本 直哉
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学工学研究科
-
林 重徳
松下電器産業(株)
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