松尾 直人 | 兵庫県立大学工学研究科
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概要
関連著者
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松尾 直人
兵庫県立大学工学研究科
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松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
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部家 彰
兵庫県立大学工学研究科
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松尾 直人
山口大学工学部
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松尾 直人
兵庫県立大学
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部家 彰
兵庫県立大学物質系
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部家 彰
兵庫県立大学大学院工学研究科
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部家 彰
兵庫県立大学大学院
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松尾 直人
山口大 工
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部家 彰
石川県工試
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部家 彰
兵庫県立大学 大学院工学研究科
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松尾 直人
兵庫県立大学工学部
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河本 直哉
山口大学大学院理工学研究科
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河本 直哉
山口大 工
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河本 直哉
山口大学工学部
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河本 直哉
山口大学工学部電気電子工学科
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芹川 正
大阪大学接合科学研究所
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松尾 直人
山口大
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浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
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長谷川 裕師
兵庫県立大学工学研究科
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高梨 泰幸
兵庫県立大学
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三浪 大介
兵庫県立大学工学研究科
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中村 昌隆
兵庫県立大学工学研究科
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芹川 正
東京大学先端科学技術研究センター
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長谷川 裕師
兵庫県立大学大学院工学研究科
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高梨 泰幸
兵庫県立大学大学院物質系工学専攻
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山田 和史
兵庫県立大学工学研究科
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宮本 修治
兵庫県立大高度研
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望月 孝晏
兵庫県立大高度研
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天野 壮
兵庫県立大高度研
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宮本 修治
阪大レーザ研
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小柳 剛
山口大院
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神田 一浩
兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所
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松尾 直人
山口大学工学部電気電子工学科
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鹿嶋 徹哉
山口大学工学部
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衣笠 彰則
山口大学工学部
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吉村 知之
山口大学工学部
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小柳 剛
山口大学工学部
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松原 覚衛
山口大学工学部
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松原 覚衛
山口東京理科大学;基礎工学部電子基礎工学科
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浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
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宮本 修治
兵庫県立大学高度産業科学技術研究所
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神田 一浩
兵庫県立大学高度産業科学技術研究所
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高見 義則
山口大学工学部電気電子工学科
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北川 康則
山口大学工学部
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宮本 修治
兵庫県立大学
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天野 壮
兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所
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望月 孝晏
兵庫県立大
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衣笠 彰則
山口大学工学部電気電子工学科
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神田 一浩
兵庫県立大
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宮本 修治
兵庫県立大学高度産業技術研究所
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宮本 修治
兵庫県立大
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大倉 健作
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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上拾石 和也
兵庫県立大学
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宮本 修治
姫工大高度研
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望月 孝晏
姫路工業大学高度産業科学技術研究所
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横山 新
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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丹羽 正昭
半導体理工学研究センター
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浜田 弘喜
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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南川 俊治
石川県工業試験場
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南川 俊治
石川県工試
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野崎 洋
山口大学大学院理工学研究科
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林 重徳
松下電器産業(株)半導体社プロセス開発センター
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山尾 正之
山口大学大学院理工学研究科
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松尾 直人
山口大学大学院理工学研究科
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丹羽 正昭
山口大学大学院理工学研究科
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野崎 嵩裕
山口大学工学部電気電子工学科
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高見 義範
山口大学工学部電気電子工学科
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浜田 弘喜
三洋電機マイクロエレクトロニクス研究所
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松尾 直人
山口大工
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林 重徳
松下電子工業株式会社プロセス開発センター
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佐藤 真彦
兵庫県立大学大学院工学研究科
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山内 純也
山口大学工学部電気電子工学科
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北川 康範
山口大学工学部電気電子工学科
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宮本 修治
阪大レーザー研
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松尾 直人
兵庫県大
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礒田 伸哉
兵庫県立大学大学院物質系工学専攻
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大村 泰久
関西大学大学院:関西大学先端科学技術推進機構
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大村 泰久
関西大学大学院:関西大学・先端科学技術推進機構
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横山 新
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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横山 新
広島大・ナノデバイス・バイオ融合研:広島大院・先端・生命機能
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北川 康範
山口大
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山内 純也
山口大
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大村 泰久
関西大学大学院工学研究科
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浜田 弘喜
三洋電機株式会社 先進太陽光発電開発センター
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小林 孝裕
兵庫県立大学大学院工学研究科
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栃尾 貴之
関西大学大学院理工学研究科
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大倉 健作
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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望月 孝晏
姫路工業大学 高度産業科学技術研究所
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林 重徳
松下電器産業(株)
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小林 孝裕
兵庫県立大学大学院
著作論文
- レーザ・プラズマ軟X線照射がエキシマ・レーザによるa-Si膜の結晶化に与える効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- 水素変調ドープa-Si膜のエキシマレーザアニーリング
- a-Si中の水素原子とエキシマ・レーザ結晶化 : 核形成・成長に大きな影響を与えるか?(シリコン関連材料の作製と評価)
- 低温ELAプロセスにおいてa-Si膜中水素が結晶化に与える影響(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 反応性DC-スパッタリング法により作製されたHfO_2薄膜の界面特性の評価 : 界面シリケート層の形成とHfO_2薄膜中トラップの関係の考察
- ELA により形成された poly-Si 結晶成長様式 : グレイン形状と水素の関係
- シリコン共鳴トンネリングMOSトランジスタ : サブ0.1μm世代を見据えて
- C-11-10 Si共鳴MOSトランジスタ(SRTMOST)の提案
- ELA法により形成したpoly-Si薄膜の回復・再結晶を考慮した成長モデル : 転位論に基づいて
- Heガスを用いたスパッタ法によるSrTiO_3薄膜の作製
- アンジュレータ光源を使用した軟X線励起によるa-Si膜表面のSi原子移動
- エキシマレーザ・アニール法で形成した多結晶シリコン膜中のディスク状結晶粒の評価
- 水素輸送堆積法におけるペンタセン膜特性の水素流量依存性
- アンジュレータ光源を使用した軟X線励起によるa-Si膜中のSi原子移動(シリコン関連材料の作製と評価)
- 原子状水素アニール処理によるペンタセンTFTの絶縁膜界面特性の向上(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 原子状水素を利用したプラスチック基板の表面改質
- 加熱触媒体上で生成した原子状水素を用いたプラスチック基板の表面処理
- 低温ELAプロセスにおいてa-Si膜中水素が結晶化に与える影響(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 低温ELAプロセスにおいてa-Si膜中水素が結晶化に与える影響(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Heガスを用いたスパッタ法によるSrTiO_3薄膜の作製
- エキシマレーザ・アニールpoly-Si膜のディスク状結晶粒成長における水素の効果(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- エキシマレーザ・アニールpoly-Si膜のディスク状結晶粒成長における水素の効果(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- レーザプラズマ軟X線照射により形成された擬似結晶核を介したa-Si膜の結晶化(シリコン関連材料の作製と評価)
- p型、n型si(100)上の極薄SiO_2膜のDT電流のWKB近似による検討
- p-Si(100)上に形成された極薄SiO_2膜の直接トンネル電流のWKB近似に基づく解析
- 極薄SiO_2膜の直接トンネル電流の検討
- ELA法により形成したpoly-Si薄膜の回復・再結晶を考慮した成長モデル : 転移論に基づいて
- ソース・ドレーン領域に極薄SiNx膜を形成したTFTドレーン電流の温度依存性
- ペンタセンOTFTの膜質評価および電気伝導機構の考察(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- ペンタセンOTFTの膜質評価および電気伝導機構の考察(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 有機ELの保護膜形成技術 (特集 有機・無機EL技術動向とその応用)
- ソース・ドレーン領域に極薄SiN_x膜を形成したTFTドレーン電流の温度依存性(半導体材料・デバイス)