大村 泰久 | 関西大学大学院:関西大学先端科学技術推進機構
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概要
関連著者
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大村 泰久
関西大学大学院:関西大学先端科学技術推進機構
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大村 泰久
関西大学システム理工学部
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小宮 健治
関西大学大学院
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大村 泰久
関西大学大学院:関西大学・先端科学技術推進機構
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大村 泰久
関西大学工学部電子工学科
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大村 泰久
関西大学工学部
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小宮 健治
関西大学工学部電子工学科
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村島 健介
関西大学大学院
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川本 敏貴
関西大学大学院工学研究科
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中森 靖彦
関西大学大学院工学研究科
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小宮 健治
関西大学ハイテクリサーチセンタ
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大村 泰久
関西大学ハイテクリサーチセンタ
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南條 健史
関西大学大学院工学研究科 ハイテクリサーチセンター
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小谷 泰実
関西大学大学院工学研究科 ハイテクリサーチセンター
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南條 健史
関西大学大学院工学研究科ハイテクリサーチセンター
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小谷 泰実
関西大学大学院工学研究科ハイテクリサーチセンター
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大倉 健作
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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松尾 直人
兵庫県立大学
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部家 彰
兵庫県立大学物質系
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横山 新
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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部家 彰
石川県工試
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松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
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松尾 直人
兵庫県立大学工学研究科
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部家 彰
兵庫県立大学工学研究科
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大村 泰久
関西大学ordist・工学部
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大村 泰久
関西大学大学院工学研究科ハイテクリサーチセンター
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仲野 駿佑
関西大学大学院
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京兼 大輔
関西大学大学院工学研究科
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横山 新
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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横山 新
広島大・ナノデバイス・バイオ融合研:広島大院・先端・生命機能
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大村 泰久
関西大学大学院工学研究科
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岡田 直樹
関西大学工学部電子工学科
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岡 崇
関西大学工学部電子工学科
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部家 彰
兵庫県立大学大学院工学研究科
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小林 孝裕
兵庫県立大学大学院工学研究科
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栃尾 貴之
関西大学大学院理工学研究科
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大倉 健作
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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松尾 直人
兵庫県立大学工学部
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部家 彰
兵庫県立大学大学院
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小林 孝裕
兵庫県立大学大学院
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部家 彰
兵庫県立大学 大学院工学研究科
著作論文
- GAA-MOSFETの極限微細化指針の検討 : モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ナノスケールSOI MOSFETの閾値電圧シフトに対するバンド非放物線性の影響に関するモデルの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 通電ストレスによる破壊状態における極薄シリコン酸化膜伝導機構のモデル化と破壊状態の考察
- 極薄SOI MOSFETへのhigh-k材料導入法に関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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- ソース・ドレーン領域に極薄SiN_x膜を形成したTFTドレーン電流の温度依存性(半導体材料・デバイス)
- シミュレーションによるシリコン酸化膜の成長機構に関する検討
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- 誘電体隔壁付き電界放出型電子源のシミュレーションによる動作特性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 誘電体隔壁付き電界放出型電子源のシミュレーションによる動作特性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極薄ゲート絶縁膜への波動関数浸透を考慮したC-Vシミュレーション(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- 極薄ゲート絶縁膜への波動関数浸透を考慮したC-Vシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ストレス条件とSILC特性の関係についての実験的考察とシミュレーションによるメカニズムの検討
- ストレス条件とSILC特性の関係についての実験的考察とシミュレーション結果によるメカニズムの検討
- ストレス条件とSILC特性の関係についての実験的考察とシミュレーション結果によるメカニズムの検討