誘電体隔壁付き電界放出型電子源のシミュレーションによる動作特性評価(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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本報告では、従来のSpindt型電子源を改良した誘電体隔壁付き電界放出型電子源(FESH)を提案し、直流動作特性だけでなく小信号応答特性、パルス応答特性からFESHの基本的な動作特性についてシミュレーションにより検討を行っている。直流動作特性については、高誘電体材料(Ta_2O_5)を用いることによって従来のSpindt型に比べて動作閾値電圧が37%低下することが示され、電界放出電流の実効的増大を期待できることが示された。小信号応答特性については、遮断時アノード・アドミッタンスの制限から定めた遮断周波数がGHzオーダーであることが示される。パルス応答特性については、ダイナミック動作時には、誘電体隔壁を通じた異常過渡電流抑制のため正弦波型入力パルスを用いることが好ましいことが示される
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-09-20
著者
-
大村 泰久
関西大学システム理工学部
-
大村 泰久
関西大学大学院:関西大学先端科学技術推進機構
-
大村 泰久
関西大学大学院:関西大学・先端科学技術推進機構
-
小宮 健治
関西大学大学院
-
村島 健介
関西大学大学院
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