極薄シリコン層を有するSOI MOSFETにおける(001)面及び、(111)面のフォノン散乱電子移動度のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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本報告では、SOI MOSFETのSi層の薄膜化に伴うフォノン散乱電子移動度の変化を量子効果を考慮したシミュレーションにより導出し、SOI層膜厚及び、実効縦方向電界強度の関数としてモデル化した。SOI MOSFET動作に関するシミュレーション及びモデル化は、(001)面及び(111)面においてそれぞれシングルゲートとダブルゲートについて行った。提案したモデルは量子シミュレーション結果をよく再現する。また、提案した移動度モデル及び量子効果を考慮した電子濃度を用いて、(001)面及び(111)面においてSOI層膜厚が10-nmのSOI MOSFETのI_d-V_g及びg_m-V_g特性を概算した。モデルを用いて概算した結果と2次元デバイスシミュレーター(DEESIS simulator)による計算結果とを比較し、導出した移動度モデルの意義を明らかにする。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-19
著者
-
佐藤 伸吾
関西大学 大学院工学研究科
-
大村 泰久
関西大学 大学院工学研究科
-
大村 泰久
関西大学大学院:関西大学・先端科学技術推進機構
-
山村 毅
関西大学 大学院工学研究科
-
大村 泰久
関西大学 大学院工学研究科:関西大学・先端科学技術推進機構
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