通電ストレスによる破壊状態における極薄シリコン酸化膜伝導機構のモデル化と破壊状態の考察
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概要
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本論文では, 製法の異なる厚さ3〜5nmの極薄シリコン酸化膜を用いて主として通電破壊の発生後の特徴について比較検討した結果を述べている.真性破壊後の伝導特性解析から, 厚さ3.3nm及び5.2nmの酸化膜の双方で抵抗性の伝導機構と障壁性の伝導機構の二つが存在していることが示される.伝導特性のこれらの特徴は, 疑似破壊状態において報告されている伝導特性の特徴と酷似しており, 真性破壊状態と疑似破壊状態における伝導特性上の質的な差が小さいことを述べている.また, 厚さ3.3nmの酸化膜では, 5.2nmの場合と異なり, 真性破壊が2段階にわたって進行することが示される.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-01-01
著者
-
大村 泰久
関西大学システム理工学部
-
大村 泰久
関西大学工学部電子工学科
-
大村 泰久
関西大学大学院:関西大学先端科学技術推進機構
-
大村 泰久
関西大学工学部
-
岡田 直樹
関西大学工学部電子工学科
-
小宮 健治
関西大学大学院
-
小宮 健治
関西大学工学部電子工学科
-
岡 崇
関西大学工学部電子工学科
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