小宮 健治 | 関西大学大学院

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概要

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関連著者

• 大村 泰久

  関西大学システム理工学部

• 大村 泰久

  関西大学大学院:関西大学先端科学技術推進機構

• 小宮 健治

  関西大学大学院

• 大村 泰久

  関西大学大学院:関西大学・先端科学技術推進機構

• 大村 泰久

  関西大学工学部電子工学科

• 大村 泰久

  関西大学工学部

• 小宮 健治

  関西大学工学部電子工学科

• 村島 健介

  関西大学大学院

• 川本 敏貴

  関西大学大学院工学研究科

• 中森 靖彦

  関西大学大学院工学研究科

• 小宮 健治

  関西大学ハイテクリサーチセンタ

• 大村 泰久

  関西大学ハイテクリサーチセンタ

• 岡田 直樹

  関西大学工学部電子工学科

• 岡 崇

  関西大学工学部電子工学科

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著作論文

• 通電ストレスによる破壊状態における極薄シリコン酸化膜伝導機構のモデル化と破壊状態の考察
• 極薄SOI MOSFETへのhigh-k材料導入法に関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 極薄SOI MOSFETへのhigh-k材料導入法に関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 誘電体隔壁付き電界放出型電子源のシミュレーションによる動作特性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 誘電体隔壁付き電界放出型電子源のシミュレーションによる動作特性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 極薄ゲート絶縁膜への波動関数浸透を考慮したC-Vシミュレーション(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
• 極薄ゲート絶縁膜への波動関数浸透を考慮したC-Vシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ストレス条件とSILC特性の関係についての実験的考察とシミュレーションによるメカニズムの検討
• ストレス条件とSILC特性の関係についての実験的考察とシミュレーション結果によるメカニズムの検討
• ストレス条件とSILC特性の関係についての実験的考察とシミュレーション結果によるメカニズムの検討

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