ストレス条件とSILC特性の関係についての実験的考察とシミュレーション結果によるメカニズムの検討
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概要
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MOSキャパシタにおける電子注入によるSILCの伝導機構を検討した。低電流ストレス後はゲート電圧1.5V以下の領域でのストレス起因による電流増加と2V以上の領域での電流減少が見出される。一方、高電流ストレスは、前者と同様に1.5V以下の領域での電流増加と2.5V付近での電流増加をもたらすことを示す。また、実験で得られたゲート電圧1.5V以下のSILCとゲート電圧1.5V以上のSILCでは伝導機構が異なる可能性があることを述べる。シミュレーション結果から、印加電圧1.5V以下におけるSILCには界面ラフネスが大きく影響しており、印加電圧1.5V以上では欠陥を経由するトンネル電流の寄与が大きいことが示唆される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-15
著者
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大村 泰久
関西大学システム理工学部
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大村 泰久
関西大学工学部電子工学科
-
大村 泰久
関西大学大学院:関西大学先端科学技術推進機構
-
大村 泰久
関西大学工学部
-
小宮 健治
関西大学大学院
-
小宮 健治
関西大学工学部電子工学科
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