C-4-30 シリコン光スイッチにおける光ゲート構造の検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-03-03
著者
-
飯田 幸雄
関西大学ordist・工学部
-
大村 泰久
関西大学システム理工学部
-
辻 正敬
関西大学HRC工学部
-
飯田 幸雄
関西大学HRC工学部
-
大村 泰久
関西大学HRC工学部
-
小林 秀樹
関西大学hrc工学部
-
大村 泰久
関西大学ordist・工学部
関連論文
- FDTD法における金属コーナ部と薄い金属エッジ部での境界処理法の格子配置と格子間隔の観点からの検討(学生研究会,マイクロ波シミュレータ,一般)
- C-2-79 CP-FDTD法を拡張した誘電体共振器の高精度計算法(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- FDTD法におけるストリップ導体エッジ部境界処理法の検討
- 薄層SOIデバイスの性能、有用性と今後の展開の見通し : 20年前の議論、10年前の議論と現在の課題(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- FDTD法によるマイクロストリップ共振器解析の格子配置からの検討
- C-3-51 フォトニック結晶導波路によるシャープUターン構造リング共振器(フォトニック結晶)(C-3.光エレクトロニクス)
- 単一モード用シリコン導波路のための入出力端子構造の検討
- FDTD法による開口空胴の外部Qの計算
- FDTDシミュレーション技術を用いた材料測定法に関する検討 : ミリ波帯金属表皮抵抗と半導体ウェハを含む誘電体板の測定(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- FDTDシミュレーション技術を用いた材料測定法に関する検討 : ミリ波帯金属表皮抵抗と半導体ウェハを含む誘電体板の測定(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- FDTDシミュレーション技術を用いた材料測定法に関する検討 : ミリ波帯金属表皮抵抗と半導体ウェハを含む誘電体板の測定
- A study on method of semiconductor materials measurement supported by accurate FDTD EM-field simulation in millimeter-wave range (安全・安心・快適な社会構築のための知能・感性・情報通信技術の応用プロジェクト)
- 1.マルチゲートFinFETのシミュレーション(32nm世代VLSIを担うMore Moore技術-三次元ゲートMOSFET-)
- C-2-100 CP-FDTD法を拡張した誘電体共振器の高精度計算法(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-4-17 矩形空気孔を矩形格子状に配置したフォトニック結晶導波路に関する検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- CS-1-7 矩形空気孔を正方格子状に配置したシリコンフォトニック結晶スラブに形成した線欠陥導波路(CS-1.大規模電磁界解析への挑戦と事例紹介,シンポジウム)
- C-4-30 シリコン光スイッチにおける光ゲート構造の検討
- C-4-29 フォトニック結晶光導波路における欠陥誘起パスバンドの光チューニング
- FDTD法における導体コーナ部境界処理法の検討
- B-1-110 準1次元フラクタル広帯域アンテナの励振源インピーダンスの検討(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
- A study of antenna efficiency measurements by Wheeler Cap method applied to planer inverted-F antenna (PIFA) (安全・安心・快適な社会構築のための知能・感性・情報通信技術の応用プロジェクト)
- One-dimensional fractal broadband antenna for demand expansion in RFID systems (安全・安心・快適な社会構築のための知能・感性・情報通信技術の応用プロジェクト)
- BS-1-13 フラクタル型広帯域アンテナに関する検討(BS-1.最新の広帯域・マルチバンドアンテナ技術,シンポジウム)
- B-1-141 小型アンテナの放射効率測定に関する検討(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
- FDTD法における金属境界での導体損失のモデル化法(学生研究会,マイクロ波シミュレータ,一般)
- C-2-76 FDTD法における導体コーナでのオフセット配置(その2)(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- C-2-99 RFID用小型アンテナの放射効率測定に関する検討(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-98 FDTD法における導体コーナでのオフセット格子配置(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-11-4 SOI MOSFET型ダイオードによるシェンケル回路の性能改善の検討(C-11. シリコン材料・デバイス, エレクトロニクス2)
- FDTD法における集中定数回路と帰納的演算を用いた広帯域導体境界処理法(マイクロ波,ミリ波)
- C-11-12 シリコン光導波路のFDTD法解析
- B-1-187 RFID用小型ループアンテナに関する検討(B-1. アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般セッション)
- B-1-109 準1次元フラクタル広帯域アンテナの帯域特性についての検討(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
- 通電ストレスによる破壊状態における極薄シリコン酸化膜伝導機構のモデル化と破壊状態の考察
- 極薄SOI MOSFETへのhigh-k材料導入法に関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極薄SOI MOSFETへのhigh-k材料導入法に関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 反転層容量における量子力学的効果が準静的C-V特性による界面準位密度の評価に及ぼす影響
- シミュレーションによるシリコン酸化膜の成長機構に関する検討
- 誘電体隔壁付き電界放出型電子源のシミュレーションによる動作特性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 誘電体隔壁付き電界放出型電子源のシミュレーションによる動作特性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極薄ゲート絶縁膜への波動関数浸透を考慮したC-Vシミュレーション(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- 極薄ゲート絶縁膜への波動関数浸透を考慮したC-Vシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ストレス条件とSILC特性の関係についての実験的考察とシミュレーションによるメカニズムの検討
- ストレス条件とSILC特性の関係についての実験的考察とシミュレーション結果によるメカニズムの検討
- ストレス条件とSILC特性の関係についての実験的考察とシミュレーション結果によるメカニズムの検討
- C-2-51 FDTD 法における導体境界処理法の改良
- シリコン系材料による電子・光信号変換素子並びに論理演算素子に関する研究 (産学連携への掛け橋)
- FDTD法とPade近似による共振周波数とQ値計算における計算精度と適用範囲の検討
- マグネトロン壁導波管のしゃ断定数の計算
- 先端フォト・エレクトロン素子開発プロジェクト
- FDTD法における集中定数回路を用いた広帯域導体境界処理法(マイクロ波,ミリ波)
- FDTD法における集中定数回路を用いた広帯域導体境界処理法(マイクロ波シミュレータ/一般/学生会)
- C-2-52 FDTD 法における集中定数回路を用いた広帯域導体境界処理法
- 導波管形帯域通過フィルタとFDTD法解析
- SOI構造の全光学的光スイッチの開発 (産学連携への掛け橋)
- FDTD法における導体表面インピーダンス境界条件についての検討
- FDTD法における導体表面インピーダンス境界条件についての検討
- SC-1-1 導波管内誘導性窓等価回路素子値のFDTD法による計算
- FDTD法における格子粗さに基づく誤差と導体コーナ部の処理法
- アイリス結合導波管型帯域通過フィルタのFDTD法解析
- 導波管型帯域通過フィルタの導体コーナ処理を考慮したFDTD解析
- [Invited]サブ100nm時代におけるSOIデバイスの可能性 : 新しい領域への挑戦(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]サブ100nm時代におけるSOIデバイスの可能性 : 新しい領域への挑戦(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 先端フォト・エレクトロン素子開発プロジェクト
- SOI MOSFETにおける各端子間容量の特徴の考察
- チャージ・シェアモデルに基づくMOSFET/SOIの寄生容量解析
- SOI MOSFETの寄生容量におけるゲート酸化膜厚の移動度の影響の解析
- マイクロ波・ミリ波帯電子部品の電磁界シュミレーション
- 時間領域電磁界解析における共振器の内部・外部・放射Qの計算法(マイクロ波電力応用/一般)
- 時間領域電磁界解析における共振器の内部・外部・放射Qの計算法
- エネルギー関係に基づく共振器Q値のFDTD法解析について
- C-1-8 FDTD法における導体コーナ部の処理法 : タイプ3の格子配置と蓄積エネルギーからの検討
- FDTD法における格子粗さに基づく誤差と導体コーナ部の処理法
- FDTD法による放射損のある共振器Qの計算法
- FDTD法による開口空胴のQ値の計算法
- Silicon-on-insulator (SOI)構造デバイスと今後の課題
- 超薄層SOIpn接合デバイスにおける負性コンダクタンス特性の特徴
- LDD構造のサブ0.1μmチャネルnMOSFET/SIMOXにおけるホット・キャリアによる異常なgm劣化についての考察
- 血液脈波信号処理に基づくアルコール摂取状態検知手法の研究 : 高信頼度の飲酒運転防止センサの開発を目標として
- 血液脈波信号処理に基づくアルコール摂取状態検知手法の研究 : 高信頼度の飲酒運転防止センサの開発を目標として