エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
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概要
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石英、SiO_2/glass、及びSiO_2/SiN/glass基板上に形成された低温多結晶シリコン(polycrystanine sihcon, poly-Si)のグレインモフォロジとエキシマ・レーザのエネルギー密度の関係を明らかにする。3種類の基板上のpoly-Siにおけるモフォロジの違いを基板の熱伝導率の関数である2次元成長の臨界エネルギー密度を定義すること、並びにSiN薄膜中の水素を考慮するにより議論を行った。各基板上におけるpoly-Si結晶成長機構についても議論を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-13
著者
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
山野 耕治
三洋電機(株)ニューマテリアル研究所
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
長谷川 勲
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
河本 直哉
山口大学工学部電気電子工学科
-
ファクルル アンワル
山口大学工学部
-
アンワル ファクルル
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
河本 直哉
山口大学大学院理工学研究科
-
納田 朋幸
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
-
河本 直哉
山口大 工
-
AZIZ Fakhrul
山口大学工学部
-
松屋 直人
山口大学工学部
-
長谷川 勲
三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所
-
Anwar F
山口大学工学部
-
松尾 直人
山口大
-
河本 直哉
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県大
-
山野 耕治
三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所
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