Anwar F | 山口大学工学部
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
ファクルル アンワル
山口大学工学部
-
アンワル ファクルル
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
AZIZ Fakhrul
山口大学工学部
-
Anwar F
山口大学工学部
-
河本 直哉
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県大
-
山野 耕治
三洋電機(株)ニューマテリアル研究所
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
著作論文
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
- エキシマ・レーザ・アニールにより形成した低温プロセス多結晶Si成長モデル : 転位論に基ずく検討