エキシマ・レーザー・アニーリングにより形成された低温プロセスPoly-Si膜の結晶成長-Poly-Siグレインのエネルギー密度、ショット数への依存性-
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概要
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この論文では75mJ/cm^2から400mJ/cm^2のエネルギー密度のエキシマ・レーザ・アニールにより形成されたpoly-Si結晶粒の特性を調査し、エネルギー密度に依存した結晶成長機構の変化を議論する。250mJ/cm^2から3500mJ/cm^2の条件では、ディスク状結晶粒が観察される。ディスク状結晶の面積率のエネルギー密度、及び、ショット数依存性が調べられる。これらの結果から、ディスク状結晶粒が結晶成長機構のエネルギー密度に依存した変化において果たす役割が明らかにされる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-23
著者
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
阿部 寿
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
阿部 寿
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
田口 亮平
山口大学工学部
-
納田 朋幸
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
-
河本 直哉
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県大
-
田口 亮平
山口大学工学部電気電子工学科
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