極薄SiO_2膜の低電圧領域における直接トンネル電流解析 : 多谷構造縮退と非弾性散乱の効果
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概要
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p-Si(100)に形成された膜厚2.7〜3.3nmの熱酸化膜の低電圧領域における直接トンネリング(DT)を、電極間ポテンシャルとフェルミエネルギーの関係を考慮して調べた。0〜-0.5Vの印加電圧においてDT電流の減少率が増加する現象が明らかにされたが、計算結果と測定値の間には尚最大一桁の差がある。Siの多谷構造縮退を考慮すると低電圧領域の測定結果を精度良く再現できる。又、poly-Si/SiO_2界面でのトンネル電子の非弾性散乱も低電圧領域の現象を理解するためには重要である事が示される。更に、2バンドモデルを使ったSi酸化膜のトンネル電子の有効質量が求められた。m=(0.42±0.03)m_oとなり、その値はAI/SiO_2/n-Si構造において、2バンドモデルを使って求められている値にほぼ一致する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-04-23
著者
-
三好 正毅
山口大学工学部電気電子工学科
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
山内 純也
山口大学工学部電気電子工学科
-
北川 康範
山口大学工学部電気電子工学科
-
三浦 隆司
山口大学工学部電気電子工学科
-
松尾 直人
兵庫県大
-
北川 康範
山口大
-
山内 純也
山口大
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