半導体微粒子分散ガラスにおける光黒化効果の機構III
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
エキシマレーザアニーリングにより形成された多結晶シリコンの成長様式 : グレーン形状と水素の関係についての検討(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
-
ELA法によるポリシリコンの結晶成長について : 核形成と水素の関係
-
有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成 : 低温触媒CVD装置の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
-
ELAポリシリコン薄膜の大粒径化 : 結晶成長と水素の関係(シリコン関連材料の作製と評価)
-
ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
-
ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
-
固体YAG2 ωグリーンレーザーによる再結晶化シリコン薄膜の解析(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
-
エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
-
チャネル形成領域両端に極薄誘電体膜をもつ新たなTFTの提案と理論検討(半導体材料・デバイス)
-
28a-YP-14 半導体を含むガラスへの光照射によるCdSSe微粒子の析出 II
-
多パルス照射エキシマレーザアニーリングにより形成したシリコン薄膜
-
エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
-
エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
-
SPC、ELA連続処理により形成された多結晶シリコンの結晶成長(半導体Si及び関連材料・評価)
-
エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
-
ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
-
エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
-
エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
-
エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
-
エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
-
エキシマレーザアニーリング時におけるディスク形状多結晶Si粒の形成(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
-
エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
-
エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
-
ELA法によりSiO_2/SiN/glass基板上に形成されたpoly-Si薄膜の結晶成長と水素の関係
-
凹凸多結晶Si上の極薄酸化・窒化・酸化複合膜の低電圧領域での電気伝導に関する理論的考察
-
WKB近似法による極薄SiO_2膜のトンネル電子の有効質量に関する解析
-
極薄SiO_2膜の低電圧領域における直接トンネル電流解析 : 多谷構造縮退と非弾性散乱の効果
-
極薄Si酸化膜の直接トンネル伝導の解析
-
28a-YP-13 CdSSe微粒子分散ガラスの光黒化の混晶組成依存性
-
28a-YP-12 CdS微粒子分散ガラスにおける光黒化と光アニールのガラス組成依存性
-
極薄誘電体膜の低電圧領域における直接トンネル電流の理論検討
-
Si(100),(111)表面への有機炭素吸着と自然酸化膜成長の関係
-
27aYG-11 CdS微粒子分散ガラスの熱ルミネセンス
-
7a-J-6 半導体微粒子分散ガラスにおける光誘起欠陥の光アニール
-
7a-J-5 半導体を含むガラスへの光照射によるCdSSe微粒子の析出
-
極薄誘電体膜の低電圧領域における直接トンネル電流近似関数
-
極薄誘電体膜の低電圧領域における直接トンネル電流近似関数
-
28a-YE-13 半導体微粒子分散ガラスへの光照射とX線照射
-
極薄酸化・窒化・酸化複合膜の低電圧領域における電気伝導機構のWKB近似による理論的解析
-
電界集中下における極薄酸化・窒化・酸化複合膜の電気伝導に関する量子力学的解析
-
半導体微粒子分散ガラスにおける光黒化効果の機構III
-
半導体微粒子分散ガラスにおける光黒化効果の機構II
-
CdSドープガラスの光黒化効果のガラス組成依存性II
-
CbSドープガラスへの光照射による半導体微粒子の生成III
-
中国茶の光透過率の時間分解Zスキャン
-
シンポジウムの報告を読んで(会員の声)
-
28aXS-2 光とX線を照射したCdS微粒子分散ガラスの熱ルミネセンス(微粒子・ナノ結晶)(領域5)
-
代議員選出方法について(会員の声)
-
代議員制度について
-
24aN-12 CdS及びCdSSe微粒子分散ガラスにおけるフェムト秒の動的過程
-
31a-ZH-1 CdS微粒子分散ガラスにおける吸収飽和と光誘起吸収
-
28p-J-6 半導体微粒子分散ガラスの光黒化効果の機構
-
有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成 : 低温触媒CVD装置の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
-
有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成 : 低温触媒CVD装置の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
-
固体YAG2 ωグリーンレーザーによる再結晶化シリコン薄膜の解析(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
-
フレキシブル・ディスプレイ実現に向けた多結晶シリコン薄膜低温大粒径化
-
エキシマ・レーザ・アニールにより形成された低温プロセス多結晶Siのキャラクタリゼーション
-
Siウエファ表面への有機炭素吸着と自然酸化膜形成
-
エキシマ・レーザ・アニールにより形成した低温プロセス多結晶Si成長モデル : 転位論に基ずく検討
-
Si共鳴トンネリングMOSトランジスタの特性計算 : 相互コンダクタンスとサブスレッショルド係数
-
Si共鳴トンネルMOSトランジスタの理論的研究
-
Si共鳴トンネルMOSトランジスタの理論的研究
-
極薄誘電体膜トンネル現象のMOSトランジスタへの応用
-
極薄誘電体膜トンネル現象のMOSトランジスタへの応用
-
ELA法によりSiO_2/SiN/glass基板上に形成されたpoly-si薄膜の結晶成長と水素の関係
-
ELA法により,SiO_2 / SiN / glass基板上に形成されたpoly-Si薄膜の結晶成長と水素の関係
-
C-11-1 Si共鳴トンネリングMOSトランジスタ(SRTMOST)の検討 : 論理回路への応用
-
a-Siのエキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化poly-Siの検討 : 薄膜中に含有された水素を考慮して
-
a-Siのエキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化poly-Siの検討 : 薄膜中に含有された水素を考慮して
-
SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるpoly-Si薄膜の結晶性
-
SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるpoly-Si薄膜の結晶性
-
Si共鳴トンネリングMOSトランジスタ(SRTMOST)のダブルバリヤ/Si界面障壁高さに関する考察 : ゲート長との関係
-
p-Si(100)上に形成された極薄SiO_2膜の直接トンネル電流のWKB近似に基づく解析
-
エキシマ・レーザ・アニール法により形成されたpoly-Si 薄膜結晶成長の遷移領域に関する検討
-
エキシマ・レーザ・アニール法により形成されたpoly-Si薄膜結晶成長の遷移領域に関する検討
-
エキシマ・レーザー・アニーリングにより形成された低温プロセスPoly-Si膜の結晶成長 : Poly-Siグレインのエネルギー密度、ショット数への依存性
-
エキシマ・レーザー・アニーリングにより形成された低温プロセスPoly-Si膜の結晶成長-Poly-Siグレインのエネルギー密度、ショット数への依存性-
-
ELA法により形成されたpoly-Si薄膜のグレインの変化
-
ELA法により形成されたpoly-Si薄膜のグレインの変化
-
Si表面への有機炭素原子吸着とネーティブオキサイド成長の関係
-
p-Si(100)上に形成された極薄SiO_2膜の直接トンネル電流(半導体Si及び関連電子材料評価)
-
エキシマ・レーザー・アニールにより形成した低温多結晶Siのキャラクタリゼイション
-
多結晶Si薄膜の結晶欠陥と結晶粒径の関係
-
日本物理学会論文賞について (会員の声)
-
1p-Y-6 CdSドープガラスの光黒化効果のガラス組成依存性
-
27p-Z-2 半導体微粒子分散ガラスの光黒化効果の粒径依存性
-
27p-Z-1 半導体微粒子分散ガラスにおける光黒化効果の機構
-
3p-Z-11 中国茶の非線形光学特性の時間応答
-
30p-W-1 中国茶の時間分解発光スペクトル
-
31p-YN-3 半導体ドープガラス中の半導体微粒子の組成
-
1p-Y-5 CdSドープガラスへの光照射による半導体微粒子の生成 II
-
27p-Z-3 CdSドープガラスへの光照射による半導体微粒子の生成
-
31p-YN-4 半導体ドープガラスにおける光照射効果の照射時間依存性
-
3p-G-14 半導体ドープガラスにおける光照射効果の照射強度依存性
-
24pYE-7 半導体微粒子分散ガラスの光黒化の熱ルミネセンス法による研究(24pYE 新物質・高密度励起現象,領域5(光物性分野))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク