DNA電界効果トランジスタの電荷保持特性(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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SOI基板を用いて、100nmのギャップを持つソース/ドレイン電極間を繋ぐように形成したDNA分子の電荷保持特性を調査した.FET DNAのドレイン電流の増加は、I_d-V_d特性測定毎に観測された.私たちはこの現象の理由を次のように推測した。n+ドレイン電極から放出される正孔電流は、DNA分子内での電子のトラップにより増加する.しかしながら、すべてのフェルミエネルギーよりも大きな電子は、負のゲート電圧を印加することでDNA分子からデトラップされる.その結果、DNA FETのI_d-V_d特性が回復した.
- 2011-12-09
著者
-
松尾 直人
兵庫県立大学
-
横山 新
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
部家 彰
石川県工試
-
山名 一成
兵庫県立大学大学院工学研究科物質系工学専攻
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
部家 彰
兵庫県立大学工学研究科
-
部家 彰
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
高城 祥吾
兵庫県立大学物質系工学専攻
-
高田 忠雄
兵庫県立大学物質系工学専攻
-
山名 一成
兵庫県立大学物質系工学専攻
-
高城 祥吾
兵庫県大
-
松尾 直人
兵庫県立大学工学部
-
高田 忠雄
兵庫県立大学物質工学専攻
-
部家 彰
兵庫県立大学大学院
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