Cat-CVD SiNx膜の面内均一性向上に関する検討

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概要

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触媒CVD(Cat-CVD)法によるSiNx膜の形成は、非プラズマ低損傷プロセスとして化合物半導体デバイス用表面保護膜等への実用化が期待されている。今回、タンダステン線を触媒としてSiH_4とHN_3を分解して、GaAs基板に堆積した緻密性の高い屈折率2.0付近のSiNx膜の均一性をエリプソメトり法により評価した。その結果、膜厚はウエハ中心から同心円状に15%程減少する傾向にあるものの、屈折率分布については、SNx膜がSiとNが独立に供給される化合物系の堆積膜であるにもかかわらず、4インチ基板面内で±2.5%以内に抑えられていることが分かった。つまり、Cat-CVD法は大面積基板上においても均質なSNx膜の堆積が可能であるといえる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-04-22

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