Cat-CVD法を用いた極薄ゲート絶縁膜の形成

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概要

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• Cat-CVD法により形成した極薄シリコン窒化膜(SiN_x)の電気的特性を評価し、ゲート絶縁膜への適応について検討した。Cat-CVD SiN_xを堆積後、900℃ Wet O_2 5sの酸化によりSiO_2等価膜厚(EOT)2.1nm、5MV/cm時のリーク電流1.4×10^<-4> A/cm^2を実現し、低リーク特性を有するゲート絶縁膜を作製することに成功した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-06-13

著者

• 吉川 明子

  北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科

• 和泉 亮

  北陸先端科学技術大学院大学

• 松村 英樹

  北陸先端科学技術大学院大学

• 森本 類

  北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科

• 森本 類

  ソニー株式会社

• 松村 英樹

  北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科

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