Device Simulation of Grain Boundaries in Lightly Doped Polysilicon Films and Analysis of Dependence on Defect Density

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概要

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• Publication Office, Japanese Journal of Applied Physics, Faculty of Science, University of Tokyoの論文
• 2001-01-15

著者

• 木村 睦

  龍谷大学電子情報学科

• 下田 達也

  Center For Nano Materials And Technology Japan Advanced Institute Of Science And Technology

• INOUE Satoshi

  Base Technology Research Center, Seiko Epson Corp.

• SHIMODA Tatsuya

  Base Technology Research Center, Seiko Epson Corp.

• KIMURA Mutsumi

  Base Technology Research Center, Seiko Epson Corporation

• SAMESHIMA Toshiyuki

  Division of Electric and Information Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology

• Shimoda Tatsuya

  Seiko Epson Corp. Nagano Jpn

• Inoue S

  Seiko Epson Corporation

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