TFT-OLEDの駆動方法における突抜誤差の補償方式(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
薄膜トランジスタ有機ELディスプレイ(TFT-OLED)の駆動方法において,突抜誤差の補償方式を考案し,回路シミュレーションで効果を確認する.この補償方式では,付加容量を追加することにより,逆方向に変化するふたつのパルス電圧による相補的な突抜電圧がキャンセルされるので,突抜誤差が低減される.さらに,付加容量を付加TFTで構成すれば,TFT特性が変動するときも,ふたつの突抜電圧が同様に変動するので,突抜誤差は増加しないことがわかる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-04-10
著者
-
木村 睦
龍谷大学電子情報学科
-
原 弘幸
セイコーエプソン株式会社フロンティアデバイス研究所
-
井上 聡
セイコーエプソン株式会社フロンティアデバイス研究所
-
加藤 正和
龍谷大学 電子情報学科
-
井上 聡
セイコーエプソン(株)フロンティアデバイス研究所
-
原 裕司
龍谷大学 電子情報学科
-
木村 睦
龍谷大学 電子情報学科
-
Inoue S
Seiko Epson Corporation
-
木村 睦
龍谷大学 理工学部 電子情報学科
関連論文
- Poly-Si TFTを用いたデバイスレベルのニューラルネットワーク(シリコン関連材料の作製と評価)
- 磁気光学空間光変調器のPoly-Si TFTによるアクティブマトリクス駆動の動作検討(シリコン関連材料の作製と評価)
- ACT-2-8 フレキシブル・マイクロエレクトロニクスを実現する非同期回路設計(ACT-2.低侵襲医療診断・治療を実現するエレクトロニクス技術,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- A-19-5 障害者の個人特性に合わせた情報提供手法
- SC-8-4 Mn系固形型ポリマーリチウム二次電池の研究開発
- SC-8-3 エーテル系櫛型高分子を用いたリチウムポリマー2次電池の開発
- 関連発見型情報ブラウザ「AssociaView」
- Extraction Technique of Trap Density at Grain Boundaries in Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors with Device Simulation
- High-Performance Polyclystalline Silicon Thin-Film Transistors with Low Trap Density at the Gate-SiO2/Si Interface Fabricated by Low-Temperature Process
- Classification of Driving Methods for TFT-OLEDs and Novel Proposal Using Time Ratio Grayscale and Current Uniformization(Electronic Displays)
- High Performance P-Channel Single-Crystalline Si TFTs Fabricated Inside a Location-Controlled Grain by μ-Czochralski Process(Electronic Displays)
- 表側と裏側の絶縁膜界面にトラップ準位をもつポリシリコン薄膜トランジスタのデバイスシミュレーション(ディスプレイ-IDW'03関連-)
- Extraction of Trap Densities at Front and Back Interfaces in Thin-Film Transistors
- Poly-Si TFT特性の酸化膜界面トラップと結晶粒界トラップに対する依存性およびその製造プロセス診断への応用(半導体Si及び関連材料・評価)
- High-Quality Gate-SiO_x and SiO_x/Si Interface Formation at Low Temperature Using Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
- マイクロ液体プロセスを用いた電子デバイス(フラットパネルディスプレイの製造技術)
- Numerical Model of Thin-Film Transistors for Circuit Simulation Using Spline Interpolation with Transformation by y=x + log(x)(Regular Section)
- 多結晶シリコン薄膜トランジスタの絶縁膜-シリコン界面と結晶粒界のトラップ準位の抽出(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
- Low-Temperature Formation of Device-Quality SiO_2/Si Interfaces Using Electron Cyclotron Resonance Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
- Extraction of Trap State at the Oxide-Silicon Interface and Grain Biundary in Polycrystallune Silicon Thin-Film Transistors
- Device Simulation of Grain Boundaries in Lightly Doped Polysilicon Films and Analysis of Dependence on Defect Density
- 多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性解析とシミュレーション
- 多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性解析とシミュレーション
- SC-8-13 TFTの高性能化とその応用
- 低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ駆動発光ポリマーディスプレイ
- Extraction of Trap States at the Oxide-Silicon Interface and Grain Boundary for Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors : Semiconductors
- Current Density Enhancement at Active Layer Edges in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors : Semiconductors
- Device Simulation of Carrier Transport through Grain Boundaries in Lightly Doped Polysilicon Films and Dependence on Dopant Density : Semiconductors
- Current Paths over Grain Boundaries in Polycrystalline Silicon Films : Semiconductors
- High-Quality SiO_2/Si Interface Formation and Its Application to Fabrication of Low-Temperature-Processed Polycrystalline Si Thin-Film Transistor(Semiconductors)
- Poly-Si TFTによるデバイスレベルのニューラルネットワーク(シリコン関連材料の作製と評価)
- ACT-2-8 フレキシブル・マイクロエレクトロニクスを実現する非同期回路設計(ACT-2.低侵襲医療診断・治療を実現するエレクトロニクス技術,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- TFT-OLEDにおける電流均一化時間階調方式の特性劣化耐性 : 回路シミュレーションによる評価結果と考察(半導体Si及び関連材料・評価)
- TFT-OLEDの駆動方法における突抜誤差の補償方式(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- TFT-OLEDの駆動方法における突抜誤差の補償方式(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- TFT-OLEDの駆動方法における突抜誤差の補償方式(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- フィールド順次カラーTFT-LCDの液晶応答補償のための信号補正
- フィールド順次カラーTFT-LCDの液晶応答補償のための信号補正
- 薄膜トランジスタをもちいたポテンシオスタットによる電気化学測定(シリコン関連材料の作製と評価)
- インテリジェント薄膜トランジスタ
- 多結晶シリコン薄膜トランジスタの電気特性解析とデバイスシミュレーションによる表裏絶縁膜界面と結晶粒界のトラップ準位の評価(半導体材料・デバイス)
- 多結晶シリコン薄膜トランジスタの電気特性解析とデバイスシミュレーション
- [招待論文]多結晶シリコン薄膜トランジスタの電気特性解析とデバイスシミュレーション(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- Pulse-Width Modulation with Current Uniformization for TFT-OLEDs(Electronic Displays)
- Plasma Oxidation of Silicon and Its Application to Poly-Si TFT Fabrication Process (情報ディスプレイ--The 6th Asian Symposium on Information Display & Exhibition)
- Plasma Oxidation of Silicon and its Application to Poly-Si TFT Fabrication Process
- Device Simulation of grain Boundaries with Oxide-Silicon Interface Roughness in Laser-Crystallized Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
- 24.4:Investigation of Hot Carrier Degradation Due to AC Stress in Low Temperature Poly-Si TFTs(発表概要)(Report on 2000 SID International Symposium)
- 薄膜トランジスタのフォトデバイス応用
- Poly-Si TFTによるデバイスレベルのニューラルネットワーク : 複数回の学習とAND・OR・EXORの学習(シリコン関連材料の作製と評価)
- IDW '11
- IDW '11
- 薄膜トランジスタによるニューラルネットワーク : 非対称回路での動作確認(シリコン関連材料の作製と評価)
- 11. インテリジェント薄膜トランジスタ(大学発の次世代ディスプレイ研究)