多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性解析とシミュレーション

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概要

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• 多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)の特性解析とシミュレーションについて解説し,いくつかの応用を例示する.特性解析では,絶縁膜界面と結晶粒界のトラップ密度を抽出する手法を開発し,実際のトラップ密度を抽出し,劣化を解析する.デバイスシミュレーションでは,これらのトラップ準位を導入し,結晶粒界でのキャリア輸送をモデル化し,トランジスタ特性のトラップ準位に対する依存性を解析する.回路シミュレーションでは,数値モデルを開発し,実測または上述のデバイスシミュレーションによるトランジスタ特性を再現する.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-06-24

著者

• 木村 睦

  龍谷大学電子情報学科

• 井上 聡

  セイコーエプソン株式会社フロンティアデバイス研究所

• 井上 聡

  セイコーエプソン(株)フロンティアデバイス研究所

• 下田 達也

  セイコーエプソン 基盤技術研究所

• 下田 達也

  Center For Nano Materials And Technology Japan Advanced Institute Of Science And Technology

• 下田 達也

  セイコーエフ゜ソン株式会社 Tprc 第四研究ク゛ルーフ゜

• 木村 睦

  Department Of Electronics And Informatics Ryukoku University

• 木村 睦

  セイコーエプソン(株)基盤技術研究所

• SHIMODA Tatsuya

  Seiko Epson Corporation

• 木村 睦

  セイコーエプソン 基盤技研

• Shimoda Tatsuya[

  Base Technology Research Center Seiko Epson Corporation

• Inoue S

  Seiko Epson Corporation

• 木村 睦

  龍谷大学 理工学部 電子情報学科

• 下田 達也

  Seiko Epson Corporation

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