[招待論文]多結晶シリコン薄膜トランジスタの電気特性解析とデバイスシミュレーション(<特集>プロセスクリーン化と新プロセス技術)
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概要
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多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)の電気特性解析とデバイスシミュレーションについて報告する.まず,電気特性解析として,表裏絶縁膜界面と結晶粒界のトラップ密度の抽出手法を説明し,実際のデバイスの抽出結果を報告する.つぎに,デバイスシミュレーションを用いて,トランジスタ特性のトラップ密度に対する依存性を調べ,このシミュレーション結果をもとに,実際のトランジスタ特性を評価する.そのほか,結晶粒界の位置に対する電流-電圧特性の依存性,表面ラフネスをともなう結晶粒界の電界強度分布,poly-Si薄膜の電流経路,poly-Si端の電流密度の増大効果などについても,シミュレーション結果を紹介する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-10-13
著者
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