Extraction of Trap State at the Oxide-Silicon Interface and Grain Biundary in Polycrystallune Silicon Thin-Film Transistors

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概要

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• 2001-01-15

著者

• 木村 睦

  龍谷大学電子情報学科

• 井上 聡

  セイコーエプソン株式会社フロンティアデバイス研究所

• 下田 達也

  Center For Nano Materials And Technology Japan Advanced Institute Of Science And Technology

• Lui BaSil

  エプソンケンブリッジ研究所

• Lui B

  Epson Cambridge Lab. Cambridge Gbr

• INOUE Satoshi

  Base Technology Research Center, Seiko Epson Corp.

• KIMURA Mutsumi

  Base Technology Research Center, Seiko Epson Corporation

• NOZAWA Ryoichi

  Base Technology Research Center, Seiko Epson Corporation

• SHIMODA Tatsuya[

  Base Technology Research Center, Seiko Epson Corporation

• LUI Basil

  Epson Cambrodge Laboratory

• TAM Simon

  Epson Cambridge Laboratory

• MIGLIORATO Piero

  Department of Engineering, University of Cambridge

• Nozawa Ryoichi

  Base Technology Research Center Seiko Epson Corporation

• Migliorato Piero

  Univ. Cambridge Cambridge Gbr

• Migliorato Piero

  Department Of Engineering University Of Cambridge

• Shimoda Tatsuya

  Seiko Epson Corp. Nagano Jpn

• Inoue S

  Seiko Epson Corporation

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