24.4:Investigation of Hot Carrier Degradation Due to AC Stress in Low Temperature Poly-Si TFTs(発表概要)(Report on 2000 SID International Symposium)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人映像情報メディア学会の論文
• 2000-07-10

著者

• 木村 睦

  龍谷大学電子情報学科

• 井上 聡

  セイコーエプソン株式会社フロンティアデバイス研究所

• 下田 達也

  Center For Nano Materials And Technology Japan Advanced Institute Of Science And Technology

• KIMURA Mutsumi

  Ryukoku University

• SHIMODA Tatsuya

  Seiko Epson Corporation

• INOUE Satoshi

  Base Technology Research Center, Seiko Epson Corp.

• SHIMODA Tatsuya

  Base Technology Research Center, Seiko Epson Corp.

• KIMURA Mutsumi

  Base Technology Research Center, Seiko Epson Corporation

• Kimura Mutsumi

  Ryukoku University:innovative Materials And Processing Research Center

• Shimoda Tatsuya

  Base Technology Research Center Seiko Epson Corporation

• Shimoda Tatsuya[

  Base Technology Research Center Seiko Epson Corporation

• Kimura M

  Department Of Electrical Engineering Kure National College Of Technology

• Kimura Mutsumi

  Base Technology Research Center Seiko Epson Corporation

• Kimura Mutsumi

  Ryukoku Univ. Otsu‐shi Jpn

• 下田 達也

  Seiko Epson Corporation

関連論文

• Poly-Si TFTを用いたデバイスレベルのニューラルネットワーク(シリコン関連材料の作製と評価)
• ACT-2-8 フレキシブル・マイクロエレクトロニクスを実現する非同期回路設計(ACT-2.低侵襲医療診断・治療を実現するエレクトロニクス技術,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
• ツボの選択を目的とした負荷動作のweb用三次元CGの開発
• [招待論文]Cat-CVD a-Si:H膜のレーザアニール特性とpoly-Si TFTの作製(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
• インクジェット成膜 : 微小液滴の挙動
• インクジェット有機薄膜 (特集 有機エレクトロニクスの新展開)
• Extraction Technique of Trap Density at Grain Boundaries in Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors with Device Simulation
• High-Performance Polyclystalline Silicon Thin-Film Transistors with Low Trap Density at the Gate-SiO2/Si Interface Fabricated by Low-Temperature Process
• Classification of Driving Methods for TFT-OLEDs and Novel Proposal Using Time Ratio Grayscale and Current Uniformization(Electronic Displays)
• マイクロ液体から直接に薄膜デバイスを形成する技術-マイクロ液体プロセス- : 2. 無機薄膜への適用と興味ある応用
• マイクロ液体から直接に薄膜デバイスを形成する技術-マイクロ液体プロセス- : 1. マイクロ液体プロセスの概要と有機デバイスへの適用
• High Performance P-Channel Single-Crystalline Si TFTs Fabricated Inside a Location-Controlled Grain by μ-Czochralski Process(Electronic Displays)
• 表側と裏側の絶縁膜界面にトラップ準位をもつポリシリコン薄膜トランジスタのデバイスシミュレーション(ディスプレイ-IDW'03関連-)
• インクジェット印刷法による有機半導体形成(新しいパターン形成における材料・プロセス技術)
• Extraction of Trap Densities at Front and Back Interfaces in Thin-Film Transistors
• Poly-Si TFT特性の酸化膜界面トラップと結晶粒界トラップに対する依存性およびその製造プロセス診断への応用(半導体Si及び関連材料・評価)
• High-Quality Gate-SiO_x and SiO_x/Si Interface Formation at Low Temperature Using Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
• マイクロ液体プロセスを用いた電子デバイス(フラットパネルディスプレイの製造技術)
• [招待論文]Cat-CVD a-Si:H膜のレーザアニール特性とpoly-Si TFTの作製(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
• [招待論文]Cat-CVD a-Si:H膜のレーザアニール特性とpoly-Si TFTの作製(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
• Numerical Model of Thin-Film Transistors for Circuit Simulation Using Spline Interpolation with Transformation by y=x + log(x)(Regular Section)
• 多結晶シリコン薄膜トランジスタの絶縁膜-シリコン界面と結晶粒界のトラップ準位の抽出(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
• Low-Temperature Formation of Device-Quality SiO_2/Si Interfaces Using Electron Cyclotron Resonance Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
• Extraction of Trap State at the Oxide-Silicon Interface and Grain Biundary in Polycrystallune Silicon Thin-Film Transistors
• Device Simulation of Grain Boundaries in Lightly Doped Polysilicon Films and Analysis of Dependence on Defect Density
• 多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性解析とシミュレーション
• 多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性解析とシミュレーション
• SC-8-13 TFTの高性能化とその応用
• 低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ駆動発光ポリマーディスプレイ
• Extraction of Trap States at the Oxide-Silicon Interface and Grain Boundary for Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors : Semiconductors
• Current Density Enhancement at Active Layer Edges in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors : Semiconductors
• Preparation of Novel PZTN Thin Film Co-doped Si
• Relationship between Lattice Deformation and Polarization in BaTiO_3
• Electronic States of Perovskite-Type Oxides and Ferroelectricity
• 解説記事 有機トランジスタの進歩
• Epitaxial Growth of SrRuO_3 Thin Film Electrode on Si by Pulsed Laser Deposition
• Fabrication of Pseudocubic SrRuO_3 (100) Epitaxial Thin Films on Si by Pulsed Laser Deposition : Surfaces, Interfaces, and Films
• Microstructural Investigation of Pulsed-Laser-Deposited SrRuO_3 Films on Si with SrO Buffer Layers : Semiconductors
• Device Simulation of Carrier Transport through Grain Boundaries in Lightly Doped Polysilicon Films and Dependence on Dopant Density : Semiconductors
• Current Paths over Grain Boundaries in Polycrystalline Silicon Films : Semiconductors
• High-Quality SiO_2/Si Interface Formation and Its Application to Fabrication of Low-Temperature-Processed Polycrystalline Si Thin-Film Transistor(Semiconductors)
• Determination of the Anisotropic Refractive Indices of Twisted Nematic Liquid Crystals by Means of Renormalized Transmission Ellipsometry : Instrumentation, Measurement, and Fabrication Technology
• Selective Deposition of Electroless Plating Films Using the Difference between the Functional Groups of Self-Assembled Monolayers
• Invited Asynchronous Architecture and Its Impact on Low-Power TFT CPUs (先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• Invited Asynchronous Architecture and Its Impact on Low-Power TFT CPUs (先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• Poly-Si TFTによるデバイスレベルのニューラルネットワーク(シリコン関連材料の作製と評価)
• ACT-2-8 フレキシブル・マイクロエレクトロニクスを実現する非同期回路設計(ACT-2.低侵襲医療診断・治療を実現するエレクトロニクス技術,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
• TFT-OLEDの駆動方法における突抜誤差の補償方式(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• TFT-OLEDの駆動方法における突抜誤差の補償方式(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• TFT-OLEDの駆動方法における突抜誤差の補償方式(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• フィールド順次カラーTFT-LCDの液晶応答補償のための信号補正
• フィールド順次カラーTFT-LCDの液晶応答補償のための信号補正
• Device Characterization of Thin-Film Phototransistors for Photosensor Applications
• 薄膜トランジスタをもちいたポテンシオスタットによる電気化学測定(シリコン関連材料の作製と評価)
• [招待論文]多結晶シリコン薄膜トランジスタの電気特性解析とデバイスシミュレーション(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• Determination of Film Thickness and Anisotropy of the Refractive Indices in 4-octyl-4'-cyanobiphenyl Liquid Crystalline Free-Standing Films
• Pulse-Width Modulation with Current Uniformization for TFT-OLEDs(Electronic Displays)
• Device Simulation of grain Boundaries with Oxide-Silicon Interface Roughness in Laser-Crystallized Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
• 24.4:Investigation of Hot Carrier Degradation Due to AC Stress in Low Temperature Poly-Si TFTs(発表概要)(Report on 2000 SID International Symposium)
• Time-Ratio Grayscale and Hopping Scan with Current Uniformization for Thin-Film Transistor Driven Organic Light-Emitting Diode Displays (Special Issue: Active-Matrix Liquid-Crystal Displays--TFT Technologies and Related Materials)
• Determination of Director Profile of Twisted Nematic Liquid Crystal Cell with Tilted Surface Alignment by Renormalized Transmission Ellipsometry
• Surface Azimuthal Anchoring Energy between the Grating Surface and Nematic Liquid Crystal Layer Studied by Finite Element Method
• Measurement of Genuine Azimuthal Anchoring Energy in Consideration of Liquid Crystal Molecular Adsorption on Alignment Film
• Quantitative Analysis of Nematic Director Reorientation Dynamics Studied by Time-Resolved Spectroscopic Ellipsometry
• Dynamics of Surface-Stabilized Ferroelectric Liquid Crystals at the Alignment Layer Surface Studied by Total-Reflection Ellipsometry : Structure and Mechanical and Thermal Properties of Condensed Matter
• Analysis of Totally Reflected Light from Liquid Crystal Cell using Renormalized Ellipsometry
• A Transition between NRD Guide and Microstrip Line at 60 GHz(Recent Devices, Circuits, and Systems for Millimeter-wave ITS Applications)
• Test Structure for the Evaluation of Si Substrates (Special Issue on Microelectronic Test Structure)
• Fully CAD-Based Design of a Mode Transformer between NRD Guide and Vertical Strip Line and Its Applications to Junction Circuits at 60 GHz(Recent Trends of Microwave and Millimeter-Wave Passive Circuit Components and Technologies for Impr
• Optical Properties of 4-Octyl-4'-Cyanobiphenyl Liquid-Crystalline Free-Standing Films
• Transmission Ellipsometry of 4-Octyl-4'-Cyanobiphenyl Liquid-Crystalline Free-Standing Films
• Pseudo-Lattice Method for Dynamic 3-D Liquid-Crystal Director Simulation
• Extraction of Trap States at the Oxide-Silicon Interface and Grain Boundary in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
• Device Simulation of Grain Boundaries in Lightly Doped Polysilicon Films and Analysis of Dependence on Defect Density

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク