Current Density Enhancement at Active Layer Edges in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors : Semiconductors
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 2001-01-15
著者
-
木村 睦
龍谷大学電子情報学科
-
井上 聡
セイコーエプソン株式会社フロンティアデバイス研究所
-
下田 達也
Center For Nano Materials And Technology Japan Advanced Institute Of Science And Technology
-
KIMURA Mutsumi
Ryukoku University
-
SHIMODA Tatsuya
Seiko Epson Corporation
-
野澤 陵一
セイコーエプソン株式会社OLED技術開発部
-
INOUE Satoshi
Base Technology Research Center, Seiko Epson Corp.
-
SHIMODA Tatsuya
Base Technology Research Center, Seiko Epson Corp.
-
KIMURA Mutsumi
Base Technology Research Center, Seiko Epson Corporation
-
NOZAWA Ryoichi
Base Technology Research Center, Seiko Epson Corporation
-
Kimura Mutsumi
Ryukoku University:innovative Materials And Processing Research Center
-
Nozawa Ryoichi
Base Technology Research Center Seiko Epson Corporation
-
Shimoda Tatsuya
Base Technology Research Center Seiko Epson Corporation
-
Shimoda Tatsuya[
Base Technology Research Center Seiko Epson Corporation
-
Kimura M
Department Of Electrical Engineering Kure National College Of Technology
-
Kimura Mutsumi
Base Technology Research Center Seiko Epson Corporation
-
Kimura Mutsumi
Ryukoku Univ. Otsu‐shi Jpn
-
下田 達也
Seiko Epson Corporation
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