多結晶シリコン膜における結晶粒界のデバイスシミュレーション

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概要

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レーザー結晶化poly-Si TFTの動作原理解明のために、粒界局在欠陥があるpoly-Si膜のデバイスシミュレーションを行い、キャアリア伝導メカニズムを明確化した。粒界欠陥は、第1に、フリーキャリアをトラップして減少させ、第2に、ポテンシャルバリアを形成してフリーキャリアの移動を妨害し、キャリア伝導に影響する。ポテンシャルバリアのドーパント密度依存性では、ポテンシャルバリアの極大値が、ドーパント密度と欠陥密度が等しくなるあたりで現れた。シミュレーションでは, 解析的手法での近似・仮定を厳密に表現することで, より正確な結果を得ることができる。実測値との比較で、シミュレーションの妥当性・欠陥密度抽出の可能性を確認した。
社団法人電子情報通信学会の論文
2000-04-14

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