SiO_2/Si界面の特性の解析(半導体Si及び関連材料・評価)
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概要
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光誘起キャリヤを用いたSiO_2/Si特性の研究を報告する。500kHzの交流電流回路においてインダクタンスーキャパシタンス共振条件を用いてシリコンの複素インピーダンスを精度良く測定した。600nm以上の波長の光照射により生成した光誘起キャリヤの再結合確率は、5.0×10^5-Pa圧、3hの水蒸気熱処理温度を150℃から260℃に上げることにより約8分の1に低減した。2.0×10^<-4>W/cm^2の低光強度の場合、150℃の水蒸気熱処理試料においてキャリヤ濃度の減少が観測された。光誘起電子キャリヤが、SiO_2/Si界面に存在する電子捕獲欠陥に捕獲されて空乏層が形成されたことがキャリヤ濃度の低減の原因と考えられる。これに対し、260℃の水蒸気熱処理試料にはキャリヤ濃度の減少は観測されず、260℃の水蒸気熱処理によってキャリヤ捕獲欠陥が有効に低減できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-12-14
著者
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