多結晶シリコンヘイオンドーピングされたドーパントの低温活性化(半導体Si及び関連材料・評価)
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概要
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多結晶シリコン薄膜にドーピングされたリン原子およびボロン原子の活性化を酸素プラズマ260℃で行った。酸素プラズマ処理で電気伝導率は、リンドーピング、ドーズ量1,0×10^<14>cm^<-2>の場合、7.3S/cmに、ポロンドーピング、ドーズ量1.6×10^<15>cm^<-2>の場合、110S/cmに上昇した。活性化率はリン原子、ボロン原子それぞれ21%、15%と見積もられた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-12-12
著者
-
鮫島 俊之
東京農工大工
-
安藤 伸行
東京農工大学
-
安東 靖典
日新イオン機器
-
安藤 伸行
東京農工大・工学教育部21世紀coeプログラム
-
鮫島 俊之
東京農工大学 工学部
-
安東 靖典
日新イオン機器株式会社
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