カーボン光吸収層を用いたシリコン膜の結晶化(半導体Si及び関連材料・評価)
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概要
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ダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜を光吸収層に用いたシリコンのレーザ結晶化について報告する。1000nm以下の波長において光吸収率が0.7以上の耐熱性DLC膜を形成可能であることがわかった。シリコン膜上にDLC膜を形成し、308-nm-pulsed-XeClエキシマレーザ200mJ/cm^2照射してシリコン膜を結晶化した結果、結晶化率0.85が得られた。また1064nmYAGレーザ加熱により50nmシリコン膜が完全に結晶化することを見出した。
- 2005-12-14
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