多結晶シリコン薄膜トランジスタの動作解析(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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電子トラップ欠陥を有するNチャンルシリコン薄膜トランジスタの電流電圧特性の数値解析を行った。シリコン膜厚50 nm、ゲート絶縁膜厚100nmの条件下で、シリコン中欠陥密度が2×10^<11>cm^<-2>以下のとき、しきい値電圧は1V以下になる。ミッドギャップの欠陥密度がl×10^<12>cm^<-2>のとき、しきい値は4.5Vと大きな値になる。欠陥エネルギー準位が伝導帯に近い場合、トランスコンダクタンスのしきい値における増大率は小さくなり、ドレイン電流-ゲート電圧は線型特性を満たさなくなる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-12-09
著者
-
鮫島 俊之
東京農工大工
-
渡壁 創
東京農工大学工学部
-
安藤 伸行
東京農工大学
-
浅見 雅彦
東京農工大学工学部
-
浅見 雅彦
東京農工大学
-
安藤 伸行
東京農工大・工学教育部21世紀coeプログラム
-
鮫島 俊之
東京農工大学 工学部
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