イオンドーピングした不純物の活性化(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)

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概要

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レーザ結晶化シリコン薄膜ヘドーピングされたボロンおよびリンの活性化について議論する。250℃の熱処理によるイオンドーピングにより形成されたアモルファス領域の再結晶化率は、ボロン密度が6.4×10^<19>cm^<-3>以下のとき0.35、リン密度が2.5×10^<19>cm^<-3>以下のとき0.5であった。不純物原子の密度を増加させると再結晶化率は減少した。1時間の酸素プラズマ処理後、ボロン密度が3.2×10^<20>cm^<-3>のときおよびリン密度が5.0×10^<19>cm^<-3>のときに高い電気伝導率を示し、その値はそれぞれ1.1×10^2S/cm、7.3S/cm であった。電気伝導率の解析の結果、電気伝導率は再結晶化率とレーザ結晶化時に形成された欠陥の密度に依存することがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-12-09

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