半導体レーザ加熱処理による浅い接合形成(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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半導体レーザ加熱による不純物ドープシリコンの活性化について報告する.940nm赤外連続光半導体レーザを試料に掃引照射した.光吸収層として200nm厚のダイヤモンドライクカーボンを試料表面に形成して赤外光を吸収させ,光エネルギーによる加熱を行なった.リンを10と70keVで2×10^<15>cm^<-2>イオン注入した試料に出力70kW/cm^2の半導体レーザを2.6ms照射したとき不純物は完全に活性化してシート抵抗はそれぞれ106及び46Ω/sqに低下した.さらに7.9nm熱酸化膜を通してBF_2イオンを10keV,で1.5×10^<15>cm^<-2>イオン注入した試料に,出力80kW/cm^2の半導体レーザを2.6ms照射したとき,シート抵抗は531Ω/sqに低下した.レーザ加熱による不純物の拡散は5nm未満であることが確認された.初期のイオン注入濃度プロファイルを保った状態で活性化を達成できた.
- 2007-12-07
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