Tam S | Cambridge Research Laboratory Of Epson

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概要

• 同名の論文著者
• Cambridge Research Laboratory Of Epsonの論文著者

関連著者

• 木村 睦

  龍谷大学電子情報学科

• 井上 聡

  セイコーエプソン株式会社フロンティアデバイス研究所

• 下田 達也

  Center For Nano Materials And Technology Japan Advanced Institute Of Science And Technology

• 木村 睦

  Department Of Electronics And Informatics Ryukoku University

• SHIMODA Tatsuya

  Seiko Epson Corporation

• TAM Simon

  Cambridge Research Laboratory of Epson

• 野澤 陵一

  セイコーエプソン株式会社OLED技術開発部

• Lui BaSil

  エプソンケンブリッジ研究所

• Migliorato Piero

  ケンブリッジ大学工学部

• Tam S

  Cambridge Research Laboratory Of Epson

• Lui B

  Epson Cambridge Lab. Cambridge Gbr

• Kimura Mutsumi

  Ryukoku University:innovative Materials And Processing Research Center

• Nozawa Ryoichi

  Base Technology Research Center Seiko Epson Corporation

• Migliorato Piero

  Univ. Cambridge Cambridge Gbr

• Shimoda Tatsuya[

  Base Technology Research Center Seiko Epson Corporation

• Inoue S

  Seiko Epson Corporation

• 木村 睦

  龍谷大学 理工学部 電子情報学科

• 下田 達也

  Seiko Epson Corporation

• 井上 聡

  セイコーエプソン(株)フロンティアデバイス研究所

• 下田 達也

  セイコーエプソン 基盤技術研究所

• 下田 達也

  セイコーエフ゜ソン株式会社 Tprc 第四研究ク゛ルーフ゜

• 木村 睦

  セイコーエプソン(株)基盤技術研究所

• Tam Simon

  エプソンケンブリッジ研究所

• INOUE Satoshi

  Base Technology Research Center, Seiko Epson Corp.

• SHIMODA Tatsuya

  Base Technology Research Center, Seiko Epson Corp.

• KIMURA Mutsumi

  Base Technology Research Center, Seiko Epson Corporation

• NOZAWA Ryoichi

  Base Technology Research Center, Seiko Epson Corporation

• LUI Basil

  Epson Cambrodge Laboratory

• TAM Simon

  Epson Cambridge Laboratory

• MIGLIORATO Piero

  Department of Engineering, University of Cambridge

• 木村 睦

  セイコーエプソン 基盤技研

• Migliorato Piero

  Department Of Engineering University Of Cambridge

• Shimoda Tatsuya

  Base Technology Research Center Seiko Epson Corporation

• Kimura Mutsumi

  Base Technology Research Center Seiko Epson Corporation

• Lui Basil

  Epson Cambridge Laboratory, 8c King's Parade, Cambridge CB2 1SJ, United Kingdom

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著作論文

• 多結晶シリコン薄膜トランジスタの絶縁膜-シリコン界面と結晶粒界のトラップ準位の抽出(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
• Extraction of Trap States at the Oxide-Silicon Interface and Grain Boundary for Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors : Semiconductors

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