中嶋 堅志郎 | 名工大
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概要
関連著者
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中嶋 堅志郎
名工大
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兪 国林
名工大
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渡邉 純二
熊大院
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江龍 修
名工大
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江龍 修
名古屋工業大学
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名古屋工大工学部
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(株)マルトー
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チューブシステムズ
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渡邉 純二
熊大工
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田口 常正
名工大
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武久 努
大同メタル工業
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佐藤 幸介
熊大工
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渡邉 純二
熊本大学大学院
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梅野 正義
名古屋工業大学
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恩田 正一
(株)デンソー基礎研
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安永 暢男
東海大工学部
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フジミインコーポレーテッド(株)
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(株)フジミインコーポレーテッド
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恩田 正一
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木肢 隆三
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児玉 一志
フジミインコーポレテッド
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神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
著作論文
- SiC 半導体単結晶のメカノケミカルポリシング技術 : Si終端面の高能率化の検討
- SiC半導体ウエハの精密加工
- SiC半導体単結晶の研磨特性
- SiC半導体単結晶研磨面の結晶性の評価
- 7a-E-12 AuをdopeしたP型Siの電子線照射
- 3a-TA-3 Fluをdopep-si(Boro_N)の電子線照射
- ここまで来たSiC技術 : 加速するSiCデバイス
- ハイドープSiエピタキシャル基板の精密加工技術
- 6a-KM-7 高純度シリコン中の焼き入れ欠陥
- 10p-U-10 P型GaSb中の格子欠陥
- 10p-U-6 電子線照射したP型シリコン中の空孔
- 6p-E-13 AuをdopeしたP型Siの電子線照射
- 6p-E-12 P型Siの低温電子線照射
- 7a-E-11 P型シリコンの低温電子線照射
- 3a-TA-7 P-Geの電子線照射損傷