石黒 修 | 豊田中研
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概要
関連著者
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加地 徹
豊田中研
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石黒 修
豊田中研
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加地 徹
株式会社豊田中央研究所
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加地 徹
豊田中央研究所
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石黒 修
豊田中央研究所
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兼近 将一
株式会社 豊田中央研究所
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兼近 将一
豊田中研
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加藤 正史
名古屋工業大学
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市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
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兼近 将一
豊田中央研究所
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市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
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市村 正也
名古屋工業大学
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上田 博之
豊田中研
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副島 成雅
豊田中研
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三鴨 一輝
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
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福島 圭亮
名古屋工業大学大学院
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福島 圭亮
名古屋工業大学
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徳田 豊
愛知工業大学 電子工学科
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徳田 豊
愛知工学部工学部電子工学科
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上田 博之
豊田中央研究所
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松岡 陽一
愛知工業大学
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妹尾 武
愛知工業大学
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副島 成雅
豊田中央研究所
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徳田 豊
愛知工業大学
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上杉 勉
豊田中央研究所
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杉本 雅裕
トヨタ自動車(株)
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上杉 勉
豊田中研
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樹神 雅人
豊田中研
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林 栄子
豊田中研
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樹神 雅人
株式会社豊田中央研究所
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杉本 雅裕
トヨタ自動車
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伊藤 健治
豊田中研
著作論文
- 縦型GaNパワーデバイスの開発
- 絶縁ゲートAlGaN/GaN-HFETの縦型動作
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))