3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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3C-SiCは低損失・高耐圧のパワーデバイスへの応用が期待されている材料である.しかし3C-SiCのパワーデバイスへの実用化を妨げる一因としてSi基板上にエピタキシャル成長した際,格子不整合が原因で多数の欠陥およびそれに伴う歪みが発生するという課題がある.そのため試料中の欠陥・歪みの分布を把握し,それらが電気的特性に与える影響を評価する必要がある.そこで本研究では反射マイクロ波光導電減衰(μ-PCD)法を応用した装置によりn型3C-SiCウェハーの過剰キャリアライフタイムマップを評価し,歪みの分布との比較を行った.その結果,歪み領域近傍ではキャリアライフタイムが短いことが分かった.
- 2011-05-12
著者
-
加藤 正史
名古屋工業大学
-
市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
-
市村 正也
名工大
-
吉田 敦史
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
市村 正也
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
-
加藤 正史
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
市村 正也
名古屋工業大学
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