加藤 正史 | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻

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概要

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関連著者

• 加藤 正史

  名古屋工業大学

• 加藤 正史

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 市村 正也

  名工大

• 市村 正也

  名古屋工業大学、機能工学専攻

• 市村 正也

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• 市村 正也

  名古屋工業大学

• 市村 正也

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• 吉田 敦史

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 畑山 智亮

  奈良先端科学技術大学院大学

• 小野田 皓司

  名古屋工業大学

• 田中 俊弘

  名古屋工業大学

• 安田 智成

  名古屋工業大学

• 木村 允哉

  名古屋工業大学大学院工学研究科

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• 吉原 一輝

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• 吉原 一輝

  名古屋工業大学大学院 機能工学専攻

• 平田 晃正

  名古屋工業大学

• 大原 繁男

  名古屋工業大学

• 江龍 修

  名古屋工業大学

• KIMURA Masaya

  Nagoya institute of technology

• 大島 武

  日本原子力開発機構

• 森田 良文

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 平田 晃正

  名古屋工業大学大学院

• 森田 良文

  名古屋工業大学

• 丸田 章博

  大阪大学

• 中根 浩貴

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著作論文

• アナログニューラルネットワーク回路を利用したダクト内アクティブノイズコントロール
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• 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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• 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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• 電気電子工学系大学生の入学動機の時系列変化および大学間における相違の調査
• 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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• 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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