電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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本研究では2種類の高抵抗6H-SiCバルクウェハに対し,抵抗率上昇機構解明の電気的測定手法として,電流-電圧測定、容量-電圧測定、電流DLTS測定(Current Deep-Level Transient Spectroscopy)を用い,半絶縁性に影響を及ぼす準位の解明を試みた.さらに,少数キャリアトラップの評価が可能であるPICTS測定(Photo Induced Current Level Transient Spectroscopy)を行い,詳細なトラップ評価を試みた.その結果,抵抗率の低い試料では結晶作製過程で導入された,Ec-0.17eVの準位が抵抗率を低下させていることがわかった.さらに抵抗率の高い試料ではEc-0.77eVのアクセプタ型準位がキャリアを補償し,他の準位とともに半絶縁性向上に寄与している可能性が見出された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-05-08
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