鬼頭 孝輔 | 名古屋工業大学
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概要
関連著者
著作論文
- 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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