窒素レーザを用いた反射マイクロ波法による薄膜SOIの評価
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概要
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厚さ0.5〜2μmの貼り合わせSOI層のキャリアライフタイムを反射マイクロ波光導電減衰法にて測定した。励起光源には波長337nmの窒素レーザを用いた。光の浸透深さが約0.1μmと小さいため、過剰キャリアはSOI層にのみ注入され、かつ埋め込み酸化膜のため基板に流出することなくSOI層に閉じ込められる。したがって、SOI層のみを基板から分離して評価することができる。測定されたライフタイムはSOI層厚が減少するにつれて減少した。これは界面での再結合に加え、オージェ再結合が影響していると考えられる。また埋め込み酸化膜との界面の特性がライフタイムに影響を及ほすことも観測された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-24
著者
-
市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
-
宇佐美 晶
名古屋工業大学電気情報工学科
-
浅倉 英樹
名古屋工業大学電気情報工学科
-
牧野 貴紀
名古屋工業大学電気情報工学科
-
森田 悦郎
三菱マテリアルシリコン
-
宇佐美 晶
名古屋工大
-
市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学
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